10.3321/j.issn:0372-2112.2005.05.032
VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究
采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF-PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极.
甚高频等离子体增强化学气相沉积、微晶硅、衬底温度
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TK514(特殊热能及其机械)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;国家自然科学基金2002DF00051;国家高技术研究发展计划863计划2002303261
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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920-922
