10.3321/j.issn:0372-2112.2005.04.018
考虑填充哑元的有效三维互连电容提取与分析
向集成电路版图中填充金属哑元(dummy)可减少化学-机械抛光所产生的介质厚度差异,同时它也给传统的寄生电容提取工具带来性能上的巨大挑战.本文基于虚拟多介质加速的直接边界元法,提出一种有效处理含有哑元填充互连结构的三维电容提取算法.通过采用悬浮(floating)边界条件和有效的方程形成和求解方法,该算法在保持高精度的同时,速度比Raphael快几千倍、比文[5]中方法快十多倍.利用本文算法,还对含哑元结构进行了一系列试验,分析其对互连电容的影响,有助于集成电路的优化设计.
寄生电容提取、悬浮金属哑元、化学-机械抛光、边界元法、虚拟多介质
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O241(计算数学)
国家自然科学基金90407004;国家高技术研究发展计划863计划2004AA1Z1050
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
667-670
