10.3321/j.issn:0372-2112.2004.05.032
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景.
MOSFET器件、建模与特征提取、短沟道效应、BSIM模型
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TN722(基本电子电路)
江苏省自然科学基金BK2003099;教育部留学回国人员科研启动基金教外司[2003]406;美国国家自然科学基金EPS-9977454
2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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