10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.038
吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响
本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式.结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间,在计算中应该加以考虑.
砷化镓高功率高速光导开关、吸收边漂移、延迟时间、吸收系数、吸收因子
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TN364+.3(半导体技术)
中国博士后科学基金;中国工程物理研究院应用电子学研究所项目
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
125-126,124
