10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.037
用于智能功率集成电路中的LDMOS/LIGBT混合结构
本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构.它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点,并且衬底电流小,能很好的抗闭锁.利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号.数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电路中的高、低压端信号传输具有突出的优点.
绝缘栅双极晶体管、双扩散MOS晶体管
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TN492(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金;国防科工委预研项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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122-124