10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.036
空穴注入控制型LIGBT的研究
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI-LIGBT),可有效控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的抗闩锁性能.数值模拟与实验表明,通过对阳极区结深、反偏p+n+结击穿电压和取样电阻的优化,可实现其导通压降与抗闩锁性能的折衷.
智能功率集成电路、横向绝缘栅双极晶体管、闩锁
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TN492(微电子学、集成电路(IC))
国家军事预研基金;国防基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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119-121