10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.025
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理,并提出了改进EEPROM保持特性的措施.
EEPROM、浮栅、隧道氧化层、电荷、泄漏
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TP343(计算技术、计算机技术)
江苏省青年科技人才基金BQ96040
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
90-91,70,95
