10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.022
TDDB击穿特性评估薄介质层质量
与时间相关电介质击穿(TDDB)测量是评估厚度小于20nm薄栅介质层质量的重要方法.氧化层击穿前,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态,当陷阱密度超过临界平均值bd时,发生击穿.击穿电量Qbd值表征了介质层的质量.Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系.TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷.TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于10nm的栅介质质量的影响.它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法.
薄介质层、质量评估、与时间相关电介质击穿、击穿电量
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
80-83,74
