10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.018
一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构
本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构.即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管,来减小其所受电应力.经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2.0对倒相器的模拟结果表明:该结构使衬底电流降低约50%,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现,工艺简明可行又无须增加芯片面积.
MOSFET衬底电流、热载流子效应、BERT肖特基金半接触、新型CMOS电路结构
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国防预研基金
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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