10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.012
超高速CMOS/SOI 51级环振电路的研制
利用CMOS/SOI工艺在4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路,从单管的开关电流比看,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流.所研制的51级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能,5V电源电压下单门延迟时间达到92ps,同时可工作的电源电压范围较宽,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景.
CMOS/SOI、MOSFET、环振电路
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TN451(微电子学、集成电路（IC）)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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