10.3321/j.issn:0372-2112.1998.05.033
掺硼金刚石薄膜热敏电阻器性能
用微波等离子体CVD方法制作了掺硼金刚石薄膜热敏电阻器.该器件的结构由Si3N4基底和2μm厚的掺硼金刚石薄膜组成,并采用了经退火处理的钛/金双金属层制作欧姆接触.结果在室温到600℃范围内获得了欧姆接触、温度响应以及电阻温度系数优良的热敏电阻器.
掺硼金刚石薄膜、Si3N4基底、热敏电阻器性能、欧姆接触、温度响应
TM5(电器)
中国科学院资助项目
2006-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
122-124
