英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET
@@ 英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super-S08和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60 V和80 V OptiMOS 3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻.SuperSO8封装与标准TO(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言.举例来说,这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D-PAK封装相同的通态电阻.
MOSFET、英飞凌、OptiMOS 3系列、通态电阻、无铅封装
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2010-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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