锆合金表面射频磁控溅射SiC涂层制备工艺参数优选
目前,国内针对锆合金包壳涂层技术研究相对较少.通过射频磁控溅射方法在锆合金基体表面沉积SiC涂层,研究了溅射功率、基片加热温度和溅射时间对涂层形貌、结合力和厚度的影响,确定了最佳的工艺参数为溅射功率200 W,加热温度400℃,溅射时间6h.采用扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)、扫描成像X射线光电子能谱仪(XPS)和X射线衍射仪(XRD)对该工艺参数下制备的SiC涂层样品进行了成分分析.结果表明,所制备的涂层的主要成分为非晶SiC.对优化SiC涂层样品进行了初步的高温水蒸气氧化试验,证明其具备一定的抗氧化性,但还有待提高.
射频磁控溅射、SiC涂层、锆合金、结合力、高温水蒸气氧化
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TG174.444(金属学与热处理)
国家科技重大专项子课题项目2015ZX06004001-002
2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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