玻片基板温度对磷掺杂真空蒸镀多晶硅薄膜的影响
为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜.采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随基板温度升高,薄膜的晶粒大小和晶化率呈先增大后减小的趋势,基板温度为150℃时,晶粒尺寸显著增大,达0.45 μm左右,且具有较高的结晶度,薄膜晶化率可高达94.95％.
多晶硅薄膜、基板温度、磷掺杂、真空蒸镀、晶化率
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TG174.444(金属学与热处理)
金州新区科技计划高新技术研究开发计划·培育专项2013-GX1-002资助
2016-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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