锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响
在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多.采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8 μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10％.
真空蒸镀法、多晶硅薄膜、组织、形貌、晶粒尺寸、基板距离、锗掺杂、晶化率
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TB34;O484.1(工程材料学)
2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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