磁控溅射Zr掺杂ITO薄膜在3种模拟腐蚀环境中的电学稳定性和耐腐蚀性
过去,鲜有Zr掺杂氧化铟锡(ITO)薄膜电学稳定性及耐蚀性的研究报道。采用磁控溅射法制备了ITO薄膜和Zr掺杂ITO薄膜(ITO:Zr),研究了2种薄膜的微观结构、光电性能及其在3种模拟腐蚀环境(酸性、海洋、工业)腐蚀液中的电学稳定性及耐腐蚀性。结果表明:Zr的掺杂导致了ITO薄膜择优取向向(400)晶面转变,ITO:Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的光电性能;2种薄膜在3种环境介质中都能发生自钝化,在工业环境中具有最好的耐腐蚀性能;ITO:Zr薄膜比ITO薄膜具有更好的电学稳定性和耐腐蚀性。
磁控溅射、ITO薄膜、Zr掺杂、电学稳定性、耐腐蚀性、腐蚀环境
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O484.4;TG174.444(固体物理学)
常州市应用基础研究计划项目CJ20110004
2012-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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32-34,38