直流电场作用下的快速粉末渗硅工艺
为了探讨施加直流电场对固体粉末渗硅渗速的影响,以20钢为基材,通过在渗硅介质与被改性样品间施加直流电场,研究快速粉末渗硅的合适工艺条件,并研究该工艺获得的渗层性能.结果表明:直流电场可降低粉末渗硅温度,显著提高渗硅速度;可使常规粉末渗硅温度从1 050℃以上降低到750 ℃;加热温度为800 ℃,直流电流6 A时,20钢的渗硅层厚约85 μm;直流电场条件下获得的渗硅层主要由Fe5Si3相组成,在700 ℃具有良好的抗氧化性能.
粉末渗硅、直流电场、抗氧化、20钢、渗硅速度
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TG156.8+3(金属学与热处理)
江苏省高校自然科学基金06KJB430021;江苏省大学生实践创新训练计划SCZ090-5133A
2011-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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