铜/镍纳米多层膜脉冲电沉积法制备及沉积机理初探
利用脉冲电沉积法成功制备出了层状结构清晰的Cu/Ni纳米多层膜.采用线性扫描伏安法、循环伏安法以及铜镍沉积过程中的电压-电流曲线等方法,研究了在硼酸系溶液中铜/镍纳米多层膜的沉积机理,使用扫描电子显微技术观察了多层膜的微观结构.结果表明:铜的沉积为扩散控制步骤,镍的沉积分为2步进行,即中间经历Ni(OH)+的过渡状态;铜、镍的沉积电位分别为-0.5 V和-1.1 V.经计算和测量对比,本脉冲法制备的多层膜符合基础电沉积原理.
电沉积机理、脉冲、铜/镍纳米多层膜、制备
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TQ153.2
甘肃省自然科学基金项目3ZS042-B25-029;兰州理工大学科研发展基金资助项目0851
2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
20-22,35
