10.3969/j.issn.1001-1560.2007.08.015
添加SeO2对电沉积纳米晶Cu的影响
采用扫描电镜、X射线衍射等方法,研究了SeO2作为添加剂对直流电沉积纳米晶Cu表面形貌、微观结构和硬度的影响.结果表明,加入O.02 g/L SeO2可使沉积层表面平整致密,沉积Cu层的(111)晶面择优取向程度上升,晶粒尺寸减小至27.9 nm左右,显微硬度升至277 HV,约为粗晶铜硬度的6倍.
SeO2、电沉积、纳米晶、铜、形貌、微观结构、显微硬度
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TQ153.1
2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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