10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.017
等离子体源离子注入法制备类金刚石薄膜
用等离子体源注入(PSII)在Si(100)上制备类金刚石膜,放电气体采用CH4, 用微波电子回旋共振(ECR)产生等离子体.将-20～-30 kV的高压加在衬底上,来提高离子的能量.通过Raman光谱和FT-IR光谱检测了类金刚石膜的化学组成及状态,并对其机械性能和表面形貌进行了检测.结果显示,硅片硬度和摩擦因数得到了改善,用PSII能够制备出性能优良的膜,可以将其应用到微电子器件(MEMS)上去.
类金刚石、等离子源注入、化学键
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O484.1(固体物理学)
2003-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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