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10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.001

低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究

引用
在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露.过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露.

化学气相沉积、低偏压生长、金刚石薄膜、图像

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TG174.4(金属学与热处理)

2003-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1001-1560

42-1215/TB

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2003,36(5)

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