10.3969/j.issn.1001-1560.2001.06.023
硅片上电镀铅锡合金工艺
@@ 众所周知,硅为半导体材料,不通过特别处理,导电性差.用线切割等一般方法无法把大硅片切割成小硅片,大电流的两极管、可控硅的芯片一般是使用套圆法切割出来的.因小管芯直径小,套圆效率低,所以,传统的小电流两极管的芯片都是用点腐蚀方法把大硅片腐蚀成小管芯.由于手工点的不均匀,且点与点之间必须留有一定的间隙,使腐蚀出的管芯大小不一、台面形状各异,从而造成硅片利用率不高、管芯质量不稳定等问题.
鉴于上述原因,我们研究开发了硅片上电镀铅锡合金工艺.通过电镀后的硅片就可用线切割的方法,把管芯割出.这样得到的管芯,大小一致、台面垂直,硅片利用率高.*经验交流*
铅锡合金、硅片、电镀
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TQ153.2
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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