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10.15918/j.tbit1001-0645.2023.055

C/C基体上ZrB2/SiC复合涂层的抗烧蚀性增强方法

引用
研究高压热流场景下,在碳/碳(C/C)基体表面ZrB2/SiC复合涂层的抗烧蚀性增强方法.在等离子体喷涂ZrB2/SiC复合涂层表面,采用CH3SiCl3-H2-Ar系统,化学气相沉积(CVD)-SiC密封层.对ZrB2/SiC涂层与CVD-SiC密封层的结构演化、烧蚀性能与烧蚀机理进行了研究.结果表明:CVD-SiC密封层增强的ZrB2/SiC复合涂层经过两个600 s循环烧蚀后,仍然具备抗烧蚀性能,表面CVD-SiC由β相向α相转化.CVD-SiC密封层填充了等离子喷涂ZrB2/SiC复合涂层的空隙,限制了氧沿着涂层裂纹和孔洞向C/C基体扩散,进而提高了抗烧蚀性.

密封层、烧蚀、等离子喷涂、C/C复合材料、化学气相沉积

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TB332(工程材料学)

国家自然科学基金51772027

2024-01-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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北京理工大学学报

1001-0645

11-2596/T

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2024,44(1)

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