10.15918/j.tbit1001-0645.2022.154
混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理论和引入比例因子λ的环形介质层的复电容的计算公式,提取了该结构的单位长度RLGC电学参数,并建立了相应的等效电路模型.在 0.1～40 GHz的频率范围内,利用MD CSTSV的等效电路模型仿真计算得到的S参数结果与基于HFSS全波仿真得到的S参数结果之间匹配良好,最大误差不超过 7％.相关结果表明,所提取的MD CSTSV的单位长度RLGC电学参数以及相应的等效电路模型较为准确且可以很好地模拟其信号传输性能.
硅通孔、类同轴、混合介质层、传输线理论
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2023-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
640-648
