10.15918/j.tbit1001-0645.2017.148
低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析
对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nmn和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1 005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1 227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性.
低阻硅TSV;铜填充TSV;凸起;应力;热力学性能
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科研基金资助项目;111引智计划项目;北京理工大学基础研究基金项目
2021-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1109-1113
