10.15918/j.tbit1001-0645.2018.279
混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.
T/R组件;硅通孔;类同轴;混合介质层
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金资助项目62074015,61774015
2021-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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