10.15918/j.tbit1001-0645.2019.119
包含Kink效应的改进型GaN HEMTs模型
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN/GaN HEMT器件,其栅长为90 nm,单指栅宽为40 μm.数据测试采用在片测试方法,在常规S参数测试和直流测试基础上,增加了脉冲直流测试,并针对测试数据体现的Kink效应和阈值电压漂移现象进行建模.研究结果表明,该模型可以准确拟合器件0～110 GHz S参数及直流特性,谐波平衡仿真显示该模型具有良好的收敛特性,可用于GaN HEMTs器件电路仿真.
AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管(HEMT)、大信号模型、Kink效应
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TP432
国家自然科学基金资助项目61771057
2020-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1253-1258
