10.15918/j.tbit 1001-0645.2018.118
退火工艺对于TSV结构热-机械可靠性影响研究
针对铜柱穿透硅通孔(through silicon via,TSV)结构的热机械可靠性,进行退火工艺对其影响的有限元分析研究.介绍了基于聚酰亚胺(Polyimide,PI)介质层的TSV结构的加工工艺.比较了在400℃退火温度,保温退火30 min条件下,PI和SiO2分别作为介质层时TSV结构的Von Mises应力及Cu胀出高度的分布.在此基础上,进一步针对PI-TSV结构分别对其尺寸参数(介质层厚度以及TSV直径、高度、间距)和退火工艺参数(退火温度、时间)进行变参分析.结果表明,与SiO2-TSV相比,PI-TSV结构退火后具有更好的热机械可靠性,并且适当增加介质层厚度是降低退火后PI-TSV结构的Cu胀出高度和以及热应力的有效方法.
三维集成技术、硅通孔、聚酰亚胺、有限元仿真、热机械可靠性
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61574016,61774015
2020-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
519-525
