10.15918/j.tbit1001-0645.2017.351
PI-TSV等效热导率提取与验证
与传统的T/R组件相比,采用转接板技术实现的2.5D集成硅基T/R组件体积更小,集成度更高,散热性能更好.硅通孔 (through-silicon-via,TSV)是其中的关键结构.本文针对2.5D集成的复杂T/R组件难以直接建模进行有限元热学仿真的问题,通过提取TSV等效热导率的方法简化仿真.对聚酰亚胺(Polyimide,PI)作为绝缘介质层的硅通孔(PI-TSV)进行了相应的有限元数值模拟,并改变结构参数,研究了不同结构因素对PI-TSV等效热导率的影响.给出了PI-TSV等效热导率关于中心导电铜柱直径、绝缘介质层厚度及TSV间距的经验公式.
T/R组件、硅通孔、有限元分析、等效热导率
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
2019-12-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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