10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.012
脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化
针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导.
MEMS滤波器、脉冲电镀、亚硫酸金盐、无氰电镀
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TN603.5;TN629.1(电子元件、组件)
北京理工大学基础研究基金资助项目20110542016
2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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