10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.011
CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析
针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35 μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.
抗辐射集成电路、双移位寄存器链、CMOS/SOI、单粒子效应、单粒子闩锁单、粒子翻转
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TN492(微电子学、集成电路（IC）)
2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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