10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.009
基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20 GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024 dB和-1.62 dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120 μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小.
转接板技术、光敏玻璃、玻璃通孔、电流密度、填充工艺
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TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)
国家重大专项基金资助项目2013ZX02502
2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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