10.15918/j.tbit1001-0645.2017.09.014
硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器
基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统(micro-electro-mechanicai-systems,MEMS)加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程,并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明,所制造的滤波器中心频率为3.96 GHz,频率误差为2.6％,通带内插入损耗约4 dB,驻波比小于1.2,相对带宽为20.7％,器件整体尺寸为7.0mm×7.8mm×0.8mm,器件质量小于0.1g,具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点,适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求.
MEMS滤波器、微机电系统工艺、C波段、小型化
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TN603.5;TN629.1(电子元件、组件)
北京理工大学基础研究基金资助项目20130542015
2017-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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