10.15918/j.tbit1001-0645.2017.05.011
4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究
本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim (FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67 eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54 eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射(PF)决定,并不受陷阱辅助隧穿trapassisted tunneling(TAT)的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.
SiC MOS、NO退火、栅泄漏电流导通机理
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TN4(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金青年基金资助项目JJ0500142501;国家自然科学基金重点资助项目JJ0200122502
2017-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
497-500
