10.15918/j.tbit1001-0645.2017.03.012
K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计
基于TSMC 90 nm CMOS工艺,设计实现K波段片上集成CMOS接收前端.接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成.射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配.测试结果表明,在射频输入频率23.2 GHz时,转换增益为27.6 dB,噪声系数为3.8dB,端口隔离性能良好,在电源电压为1.2V下,功耗为35 mW,芯片面积为1.45×0.60 mm2.
K波段、接收前端、低噪声放大器、下变频混频器、CMOS
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61301006,61271113
2017-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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287-291
