10.3969/j.issn.1001-0645.2013.08.014
基于内外两级并行的多通道闪存存储系统设计
针对单片闪存存取速率低、存储容量小的问题,根据对NAND型闪存存取带宽影响因素的分析,提出了一种多通道闪存存储系统结构,同时采用通道间流水和通道内交织两级并行访问方法提高存储系统吞吐量,推导出了通道内外并行多通道存储系统的存取带宽计算公式.此外,通过给出的系统并行加速比公式,对影响系统并行加速性能的原因进行了分析.设计和实现了以该系统模型为核心的多通道闪存存储模块,验证了两级并行方法的可行性和有效性.
闪存存储系统、多通道架构、通道间流水、通道内交织
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TP391(计算技术、计算机技术)
国家自然科学基金资助项目61001190
2013-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
841-847
