10.3969/j.issn.1001-0645.2012.12.014
基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63％.
衬底偏压、电场调制、击穿电压、耐压模型
32
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
广西自然科学基金资助项目2010GXNSFB013054;广西省重大科技攻关工程资助项目11107001-20
2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1279-1282,1287
