一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路
分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点,研制出一种新型的700 V BCD工艺栅驱动集成电路.通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量,配合电路设计调整了BCD工艺,解决了高功耗和地线浮动等制约其发展和应用的难题.仿真和测试结果表明,该集成电路工作在1MHz,400V时,总功耗仅为0.4W.
功率集成电路、BCD工艺、栅驱动集成电路、横向双扩散MOS管
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TN492(微电子学、集成电路（IC）)
2012-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1080-1084
