10.3969/j.issn.1001-0645.2007.02.005
磁致塑性的位错机理
采用佩尔斯-纳巴罗的部分离散位错模型,计算了磁场中直刃型位错的错排能,推导出在静磁场中位错滑移所需克服晶体点阵阻力的最大值--佩-纳力,给出了佩-纳力与磁场强度、材料性质间的关系.结果表明:若材料中的位错具有顺磁性,佩-纳力的值比无磁场时的值减少,位错更容易运动,材料塑性增强.该结论与已有的磁塑效应实验中观察到的现象一致.当磁场为0时,所得佩-纳力的值可退化为已知的原佩-纳力.
佩-纳力、位错、磁塑效应
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O469(真空电子学（电子物理学）)
国家自然科学基金19977011
2007-04-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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113-115
