10.3969/j.issn.1001-0645.2005.z1.011
IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究
在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100 C/cm2减少至0.002 C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.
静电放电、HBM模型、介质击穿
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O482.4(固体物理学)
上海市科技基金03IZ01
2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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