P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法.首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2 个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展.然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法.最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望.
氮化镓(GaN)、P-GaN栅技术、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor、HEMT)、增强型器件、结构优化、制备工艺优化
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TN386.3(半导体技术)
国家重点研发计划;北京市自然科学基金资助项目
2023-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共11页
926-936
