基于正交试验的Mo薄膜工艺参数优化
Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L9(33)正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.采用压入法衡量薄膜与基底的结合力,结合力的评价指标为压入引起的裂纹的面积,利用改进版龟裂评级法得出裂纹面积.通过极差分析得到基底温度、溅射气压、溅射功率所对应的R值分别为6.51、18.29、5.96;最优水平组合为A1 B2 C3,此时裂纹面积最小,为2.41μm2.结果表明:影响Mo薄膜与基底结合力的因素由主到次为溅射气压、基底温度、溅射功率,综合考虑3种影响因素下Mo薄膜的最优制备工艺参数为溅射功率150 W,溅射气压0.5 Pa,基底温度100℃.
Mo薄膜;磁控溅射;结合力;参数优化;正交试验;裂纹面积
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TG146.4+1;TB43(金属学与热处理)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2022-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
79-84
