铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO3衬底上的Au/BiFeO3/SrRuO3结构的阻变效应,实验通过测量样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO3与Au、SrRuO3功函数的不同在Au/BiFeO3、BiFeO3/SrRuO3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.对Ⅰ-Ⅴ特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
铁电阻变存储器、阻变效应、空间电荷限制电流、陷阱填充
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TB34(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目61201046;北京市自然科学基金资助项目4162013,2132023
2017-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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