基于PID自校准算法的IGBT温升控制实现
针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管( insulated gate bipolar transistor, IGBT)温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制IGBT温升。通过MATLAB进行PID建模及参数仿真,采用电学法测试原理并结合嵌入式系统测试IGBT结温,使用PID自校准算法控制器件温升进行IGBT热疲劳测试。实验结果表明：该算法的调节方式和温度精度都达到理想的效果,改善了系统的动态性能,为IGBT寿命预测提供了一个良好的实验环境。
自校准PID、电学法、结温
42
TP308(计算技术、计算机技术)
国家自然科学青年基金资助项目61204081
2016-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
989-993
