硅通孔电镀填充铜的蠕变性能
为了研究TSV-Cu的蠕变性能，首先利用典型的TSV工艺制作了电镀Cu的TSV试样，然后利用纳米压痕法对TSV-Cu进行了压痕蠕变测试.采用恒加载速率/载荷与恒载荷法相结合的方式，对TSV-Cu的蠕变行为进行了研究，测量了TSV-Cu在不同压入应变速率和最大压入深度条件下的蠕变行为.通过对保载阶段的数据进行处理，得到了不同加载条件下的蠕变速率敏感指数m.结果表明：压入应变速率和最大压入深度等加载条件对m的影响不很明显.
硅通孔、TSV-Cu、纳米压痕、蠕变速率敏感指数
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U461;TP308(汽车工程)
国家自然科学基金资助项目11272018
2016-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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