应用于电磁超声的DE类功率放大器驱动电路设计
为了进一步增强电磁超声激励源的激发效能,提高电磁超声换能器的工作效率,基于射频技术提出了一种DE类射频功率放大器,通过采用隔离电源方法,有效地解决了高边金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的“浮地”问题,实现了高频隔离.通过分析MOSFET开关工作状态及控制特性,确立了MOSFET开关的基本工作过程,从而建立了一种MOSFET驱动电路设计方法.通过对关键元件的选型设计与算法研究,构建了DE类功率放大器的驱动电路.实验结果表明:设计的MOSFET驱动电路的输出信号电压幅值为13.4V,占空比50％,频率为1MHz,输出信号稳定,实现了对MOSFET的可靠驱动,能够满足实际应用.
DE类功率放大器、金属-氧化物半导体场效应晶体管、电源模块
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U461;TP308(汽车工程)
北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助项目Z141100003414001
2016-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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