无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
设计了一款无螺旋电感的1 ～6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105 μm×115 μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1～6 GHz频段内,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
SiGe HBT、有源电感峰化技术、噪声抵消支路、宽带低噪声放大器、射频前端
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TN722.3(基本电子电路)
国家自然科学基金资助项目61006044;北京市自然科学基金资助项目4122014
2014-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
690-695
