500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
介绍一种双外延绝缘体上硅（silicononinsulator，SOI）结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管（trenchanodelateralinsulated-gatebipolartransistor，TA—LIGBT）．沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布，并减小了元胞面积；双外延结构使漂移区耗尽层展宽，实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计．通过器件建模与仿真得到最佳TA—LIGBT的结构参数和模拟特性曲线，所设计器件击穿电压大于500V，栅源电压Vgs=10V时导通压降为0．2V，特征导通电阻为123．6mΩ·cm2．
沟槽、横向绝缘栅双极晶体管、击穿电压、导通压降、阈值电压、特征导通电阻
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TN342.4(半导体技术)
哈尔滨市科技创新人才研究专项基金资助项目Rc2007QN009016
2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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