沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
沟槽栅MOSFET、导通电阻、击穿电压、器件仿真
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TN342.4(半导体技术)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目HEUCFT1008
2011-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
342-346
