基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法
在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进.充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属.由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.
大电流密度、欧姆接触、接触电阻率、电迁移
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TN306(半导体技术)
国家"八六三"计划资助项目2006AA03A112;北京工业大学校青年基金X1002013200801;北京工业大学博士启动基金X0002013200802
2015-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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